文章来源：由「百度新聞」平台非商業用途取用"https://ee.ofweek.com/2016-10/ART-11000-2801-30045383_2.html"

　　1.多晶硅提純：　　先是沙子(SiO2)與碳在高溫下(2000C)置換反應，生成硅和CO2。此時的硅為冶金級別的(MGS:MetallicGradeSilicon)，也就是粗制的多晶硅。　　然后再用MGS的硅與HCl在300C下反應生成TCS(SiHCl3)，然后經過過濾和冷凝可以得到純度為99.99999%的液態SiHCl3TCS，這樣就完成了提純(purifier)的動作。　　接下來用提純的TCS與H2在1100C下反應，生成電子級別的(EGS:electricgradesilicon)多晶硅和HCl，注意此時雖然有高溫但是還是多晶硅。(用H2通入液態的SiHCl3里面，所以H2既作為反應氣體，也作為SiHCl3的攜帶氣體Carriergas)　　2.單晶硅制作：　　因為晶體的生長一定需要有一個子晶(seed)，需要沿著子晶的晶向繼續生長，所以我們需要有個坩堝(QuartzCrucible)盛裝要熔融的多晶硅，待多晶在坩堝中熔化后，再將子晶放入坩堝中勻速轉動并且向上提拉，則熔融的硅會沿著子晶晶向長成一個圓柱體的硅錠(ingot)。這種方法就是現在一直在用的CZ法(Czochralski)，也叫單晶直拉法。當然還有一種方法叫區熔法(FZ,FloatingZone)，以前在6寸時候見過，據說因為沒有坩堝了，所以因坩堝引入的雜質比較少，但價格比較昂貴，且無法做大尺寸，僅用于高壓器件制作。　　如何從硅錠到每一片硅片？　　1.切邊切槽:我們的wafer都有個Notch(6寸是平邊flat)，這個是在ingot做好的時候就要切好的，切成片就沒法做了。這個notch或平邊不是隨便切的哦，它必須沿著110向切，所以Wafer規格上規定Notchorientation為110+-1deg。還有notch的深度以及平邊大小都是有SEMIM1規定的，6寸用的平邊一般有兩種47.5mm和57.5mm兩種，取決你的機臺。而8寸的wafer的notch都是統一的深度約1~1.25mm，角度~90deg，半徑0.9mm等。(平邊和notch都是用來對位用的，但是平邊比較浪費。)　　2.切割硅錠(ingot)成wafer：這就跟切黃瓜一樣了，O(_)O哈哈~。不一樣的地方在于，為了highthroughput，我們采用了線切割(一次可以切很多片)。還有一個與切黃瓜不一樣的是，我們都是圓形內凹刀口，刀子轉動但硅錠ingot只平移不做轉動，因為內凹的刀口接觸面積大，ingot不動的原因是怕刀口碰到notch。(發揮下想象力吧~~~)。每片wafer的厚度由兩個刀片之間的距離決定，一般4寸為525mm，5寸是625mm，6寸為675mm，8寸為725mm，12寸為775mm。　　3.倒角(Edgerounding)：剛切好的wafer邊緣一定是尖銳的柱狀體，這個時候稍微碰一下可能就磕碎了，因為太脆弱了，所以需要把它磨成圓的減少應力。轉動wafer在一個固定的槽子里面磨就行，類似磨刀。123下一頁>

關鍵字標籤：PCB電路板切割機推薦